天際分享 ｜ ?一種“高溫?zé)峤夥ā敝苽涔杼钾?fù)極材料

高溫?zé)峤夥ㄍǔＪ且跃酆衔餅樘荚矗约{米硅、硅氧化物等為硅源，使用我公司湖南天際智慧材料科技有限公司研發(fā)的“硅碳負(fù)極專用包覆裝備”在惰性氣氛下用聚合物高溫?zé)峤猱a(chǎn)生的無(wú)定形碳包覆硅材料，從而獲得碳包覆硅結(jié)構(gòu)的硅碳活性材料，這也是目前常見(jiàn)硅碳復(fù)合材料的制備方法。聚合物高溫?zé)峤猱a(chǎn)生的無(wú)定形碳空隙結(jié)構(gòu)較為發(fā)達(dá)，能夠更好地起到抑制硅基材料的體積變化的效果，其包覆在硅材料的外面可以起到緩沖的作用。通過(guò)高溫?zé)峤鉃r青、納米硅和特殊處理后的碳納米管，制備了硅/碳/碳納米管三元復(fù)合的負(fù)極活性材料，初始放電比容量能夠達(dá)到1077mAh/g，循環(huán)20周后可逆容量仍可達(dá)到703mAh/g。